Each of several items in a list, preceded by a bullet symbol for emphasis.
:
- - 0,5 جيغابايت 266 ميجا هرتز
- - 184-pin DIMM
- - التأخير في القناة المرتبطة بالإشارات (CAS): 2.5
- - تكنولوجيا صناعة الدارات السريعة ECC
أكثر>>>
Short summary description IBM MEMORY 512MB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM 2X 256MB 33L5038 TS وحدة ذاكرة 0,5 جيغابايت 266 ميجا هرتز تكنولوجيا صناعة الدارات السريعة ECC:
This short summary of the IBM MEMORY 512MB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM 2X 256MB 33L5038 TS وحدة ذاكرة 0,5 جيغابايت 266 ميجا هرتز تكنولوجيا صناعة الدارات السريعة ECC data-sheet is auto-generated and uses the product title and the first six key specs.
IBM MEMORY 512MB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM 2X 256MB 33L5038 TS, 0,5 جيغابايت, 266 ميجا هرتز, 184-pin DIMM
Long summary description IBM MEMORY 512MB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM 2X 256MB 33L5038 TS وحدة ذاكرة 0,5 جيغابايت 266 ميجا هرتز تكنولوجيا صناعة الدارات السريعة ECC:
This is an auto-generated long summary of IBM MEMORY 512MB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM 2X 256MB 33L5038 TS وحدة ذاكرة 0,5 جيغابايت 266 ميجا هرتز تكنولوجيا صناعة الدارات السريعة ECC based on the first three specs of the first five spec groups.
IBM MEMORY 512MB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM 2X 256MB 33L5038 TS. الذاكرة الداخلية: 0,5 جيغابايت, سرعة ساعة الذاكرة: 266 ميجا هرتز, عامل شكل الذاكرة: 184-pin DIMM, التأخير في القناة المرتبطة بالإشارات (CAS): 2.5, تكنولوجيا صناعة الدارات السريعة ECC